对比图
型号 MRF150 MRF151 BLF177
描述 MOSFET晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB射频功率场效应晶体管150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFETNXP BLF177 晶体管, 射频FET, 125 V, 16 A, 220 W, 1 MHz, 108 MHz
数据手册 ---
制造商 M/A-Com M/A-Com NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管MOS管
安装方式 Flange Surface Mount Flange
引脚数 4 4 4
封装 211-11 211-11 -
频率 30MHz ~ 150MHz 175 MHz -
额定电流 16 A 16 A 16.0 A
耗散功率 300000 mW 300 W 220 W
漏源击穿电压 125V (min) 125 V 125V (min)
输出功率 150 W 150 W -
增益 8dB ~ 17dB 13dB ~ 22dB 19.0 dB
测试电流 250 mA 250 mA -
输入电容(Ciss) 400pF @50V(Vds) 350pF @50V(Vds) -
耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW -
额定电压 125 V 125 V -
阈值电压 - 3 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -
电源电压(DC) - - 50.0 V
额定电压(DC) - - 125 V
针脚数 - - 4
极性 - - N-Channel
漏源极电压(Vds) - - 125 V
连续漏极电流(Ids) - - 16.0 A
封装 211-11 211-11 -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ELV标准 Compliant - -
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 - - EAR99