JAN1N6335US和JANTXV1N6335US

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6335US JANTXV1N6335US 1N6335US

描述 B-MELF 30V 0.5W(1/2W)Diode Zener 30V 0.5W(1/2W) b-Sq MelfZener Diode

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 - -

封装 B-MELF SQ-MELF -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.4V @1A 1.4V @1A -

耗散功率 500 mW - -

测试电流 4.2 mA - -

稳压值 30 V 30 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 B-MELF SQ-MELF -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Tray -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

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