IRS21271STRPBF和IRS21281STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS21271STRPBF IRS21281STRPBF IRS2127STRPBF

描述 MOSFET驱动器, 高压侧, 10 V至20 V电源, 600 mA输出, 150 ns延迟, NSOIC-8MOSFET DRVR 600V 0.6A 1Out Hi Side Inv 8Pin SOIC T/RP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 电源管理电源管理电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1 1

输出电流 200 mA 200 mA 200 mA

耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW

上升时间 130 ns 130 ns 130 ns

下降时间 65 ns 65 ns 65 ns

下降时间(Max) 65 ns 65 ns 65 ns

上升时间(Max) 130 ns 130 ns 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 9V ~ 20V 9V ~ 20V 12V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

针脚数 8 - 8

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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