对比图
型号 IXSR50N60B IXXH50N60B3
描述 TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2kV 70A 3Pin(3+TAB) ISOPLUS 247Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 ISOPLUS-247 TO-247-3
引脚数 - 3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) - 600 W
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 600000 mW
封装 ISOPLUS-247 TO-247-3
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free