IXFA16N50P和IXTA16N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA16N50P IXTA16N50P IXTP16N50P

描述 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3Pin(2+Tab) D2PAKIXYS SEMICONDUCTOR  IXTP16N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 16.0 A 16.0 A 16.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.4 Ω - 0.4 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 300 W

阈值电压 5.5 V - 5.5 V

输入电容 2.25 nF 2.25 nF 2.25 nF

栅电荷 43.0 nC 43.0 nC 43.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 16.0 A 16.0 A

上升时间 25 ns - 25 ns

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

反向恢复时间 - - 400 ns

额定功率(Max) - - 300 W

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

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