对比图
型号 SI4396DY-T1-E3 SI4396DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 1675pF @15V(Vds) 1675pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
长度 4.9 mm -
宽度 3.9 mm -
高度 1.75 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free