BST72A和BST72A,112

对比图

型号 BST72A BST72A,112 VN0808L-G

描述 N沟道垂直D- MOS晶体管 N-channel vertical D-MOS transistorSPT N-CH 100V 0.19A晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 80 V, 4 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 830 mW 830mW (Ta) 1 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 190 mA 0.19A -

输入电容(Ciss) - 40pF @10V(Vds) 50pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830mW (Ta) 1W (Tc)

额定功率 - - 1 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 10 Ω - 4 Ω

阈值电压 - - 2 V

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 190 mA - -

通道数 1 - -

输入电容 40.0 pF - -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 70 ns - -

下降时间 70 ns - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 4.8 mm - -

宽度 4.2 mm - -

高度 5.2 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free