对比图
型号 BUK9510-100B,127 BUK7515-100A,127 PSMN015-100P
描述 TO-220AB N-CH 100V 75ATO-220AB N-CH 100V 75AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 75.0 A
耗散功率 300 W 300 W 300 W
输入电容 - - 4.90 nF
栅电荷 - - 90.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75A 75A 75.0 A
上升时间 - 85 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 11045pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
下降时间 - 70 ns 50 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300000 mW
极性 N-CH N-CH -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free