ICTE10HE3_A/D和ICTE10-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE10HE3_A/D ICTE10-E3/73 ICTE-10

描述 Tvs Diode 10vwm 14.1vc 1.5keDiode TVS Single Uni-Dir 10V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoESD 抑制器/TVS 二极管

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Littelfuse (力特)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AD-2

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 11.7 V 11.7 V 11.7 V

工作电压 - - 10 V

击穿电压 - - 11.7 V

钳位电压 - - 13.7 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AD-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

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