BSP60,115和BSP60E6327HTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP60,115 BSP60E6327HTSA1 BSP 60 E6433

描述 SC-73 PNP 45V 1ASOT-223 PNP 45V 1ATRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223-4

引脚数 4 - 4

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 1.25 W 1.5 W 1.5 W

额定电压(DC) - - -45.0 V

额定电流 - - -1.00 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

增益带宽 200 MHz - 200 MHz

耗散功率(Max) 1250 mW - 1.5 W

耗散功率 1.25 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 1000 - -

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223-4

宽度 3.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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