SI4910DY-T1-GE3和SI4942DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4910DY-T1-GE3 SI4942DY-T1-E3 DMN4027SSD-13

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 6A 8Pin SOIC N T/RMOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOICDual N-Channel 40V 0.047Ω 6.3NC 2.14W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.022 Ω - -

耗散功率 2 W 1.10 W 2.1 W

阈值电压 2 V - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 855pF @20V(Vds) - 604pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 1.1 W 1.8 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

极性 - N-Channel, Dual N-Channel N-CH

输入电容 - - 604 pF

连续漏极电流(Ids) - 7.40 A 7.1A

上升时间 - - 3.1 ns

下降时间 - - 7.5 ns

耗散功率(Max) - - 2140 mW

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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