2SK1119和MTB3N100E

对比图

型号 2SK1119 MTB3N100E MTP3N100E

描述 TO-220AB N-CH 1000V 4AD2PAK N-CH 1000V 3ATrans MOSFET N-CH Si 1kV 3A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 TO-220 D2PAK-263 -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 4A 3A -

耗散功率(Max) 100W (Tc) 2500 mW -

上升时间 - 19 ns -

输入电容(Ciss) - 1316pF @25V(Vds) -

下降时间 - 33 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-220 D2PAK-263 -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

材质 - Silicon -