BZV55-C36和BZV55-C36,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C36 BZV55-C36,115 1N5258B

描述 BZV55-C36 稳压二极管 36V 500mW/0.5W SOD80/LL34-36V marking/标记 低电压的稳定剂或电压基准NXP  BZV55-C36,115  单管二极管 齐纳, 36 V, 400 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CZener Diode 36V 5% 0.5W(1/2W) Do-35 Case

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NTE Electronics

分类 齐纳二极管齐纳二极管分立器件

基础参数对比

封装 SOD-80 SOD-80 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 SOD-80 SOD-80 -

长度 - 3.7 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

容差 - ±5 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 400 mW -

测试电流 - 2 mA -

稳压值 - 36 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 31.8 mV/℃ -

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