对比图
型号 AUIRF3315S IRF3315S IRF3315STRLPBF
描述 INFINEON AUIRF3315S 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 150 V, 0.082 ohm, 10 V, 2 VD2PAK N-CH 150V 21AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) - 150 V -
额定电流 - 21.0 A -
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 94 W 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8 W
产品系列 - IRF3315S -
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 - 150 V -
连续漏极电流(Ids) 21A 21.0 A 21A
上升时间 32 ns 32.0 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.082 Ω - 0.082 Ω
阈值电压 2 V - 4 V
下降时间 38 ns - 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 - - 94 W
额定功率(Max) - - 3.8 W
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Rail, Tube Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -