IRLR8103VPBF和IRLR8103VTRPBF

对比图

型号 IRLR8103VPBF IRLR8103VTRPBF IRLR8103VTRL

描述 INFINEON  IRLR8103VPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 91 A, 30 V, 0.0069 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 30V 91ADPAK N-CH 30V 91A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 89 W 89 W -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 115 W 115 W 115W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 91A 91A 91A

上升时间 9 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds) 2672pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W -

下降时间 18 ns 18 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 115W (Tc) 115W (Tc) 115W (Tc)

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0069 Ω - -

阈值电压 3 V - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -