对比图
型号 FQD4N20LTF FQD7N20TM 2SK216
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 3.20 A 5.30 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 1.35 Ω 690 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5 W -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.20 A 5.30 A 0.5A
输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 2.5 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) -
宽度 - 6.1 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -