BCV28和BST61

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCV28 BST61 933644290115

描述 PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington TransistorsSmall Signal Bipolar TransistorSmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 TO-243 - -

额定功率 1 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 4000 - -

长度 4.50 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 1.50 mm - -

封装 TO-243 - -

产品生命周期 End of Life Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

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