PBSS4032SN和PBSS4032SN,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS4032SN PBSS4032SN,115

描述 TRANSISTOR, NPN/NPN, 30V, SO8; Module Configuration: Dual; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)c...TRANS 2NPN 30V 5.7A 8SO

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 8 8

封装 - SOIC-8

额定功率 - 1.4 W

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V

最小电流放大倍数(hFE) - 250 @2A, 2V

额定功率(Max) - 2.3 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2300 mW

频率 - -

极性 N-Channel, NPN -

耗散功率 - -

集电极最大允许电流 - -

封装 - SOIC-8

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

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