1N485B和JAN1N485B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N485B JAN1N485B

描述 高电导率DO- 35二极管 High Conductance DO-35 DiodesDIODE ZENER 180V 0.5W(1/2W) DO35

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 DO-35 DO-35

容差 - ±2 %

正向电压 1 V 1V @100mA

正向电流 200 mA 200 mA

稳压值 - 180 V

额定功率(Max) - 500 mW

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

输出电流 - -

针脚数 - -

极性 - -

热阻 - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - -

正向电压(Max) - -

工作结温 - -

封装 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 - -

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