对比图
型号 APT8014JLL APT8020JFLL IXFN44N80
描述 SOT-227 N-CH 800V 42A功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Screw Screw Chassis
引脚数 4 4 3
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 42.0 A 33.0 A -
输入电容 7.24 nF 5.20 nF -
栅电荷 285 nC 195 nC -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 42.0 A 33.0 A 44.0 A
上升时间 19 ns 14 ns 48 ns
输入电容(Ciss) 7238pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 10000pF @25V(Vds)
下降时间 15 ns 10 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 595W (Tc) 520000 mW 700W (Tc)
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 595 W - 700 W
额定功率(Max) 595 W - -
额定功率 - - 700 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 165 mΩ
阈值电压 - - 4.5 V
工作结温(Max) - - 150 ℃
封装 SOT-227-4 SOT-227 SOT-227-4
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
重量 - - 0.000036 kg
ECCN代码 - - EAR99