SM8S26HE3/2E和SM8S26HE3/2D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S26HE3/2E SM8S26HE3/2D SM8S26A-TP

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S26AHE3_A/KESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S26AHE3_A/IDiode TVS Single Uni-Dir 6.6kW Automotive 2Pin(1+Tab) DO-218AB T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB DO-218AB-2 DO-218AB

引脚数 - - 2

工作电压 26 V 26 V -

击穿电压 35.3 V 28.9 V -

钳位电压 46.6 V 46.6 V 42.1 V

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 28.9 V 28.9 V 28.9 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

测试电流 - - 5 mA

击穿电压 - - 28.9 V

工作结温 - - -55℃ ~ 175℃

封装 DO-218AB DO-218AB-2 DO-218AB

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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