46011和BFG410W,115

对比图

型号 46011 BFG410W,115 BFG410W

描述 TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, CMPAK-4, BIP RF Small SignalNXP### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsNPN 22GHz wideband transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 - SOT-343 -

频率 - 22000 MHz -

针脚数 - 4 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 54 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 4.5 V -

增益 - 21 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @10mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 50 -

额定功率(Max) - 54 mW -

直流电流增益(hFE) - 80 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 54 mW -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

封装 - SOT-343 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -