TLE2072QDRG4Q1和TLE2072QDRQ1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2072QDRG4Q1 TLE2072QDRQ1

描述 EXCALIBUR低噪声高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERSEXCALIBUR低噪声高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR LOW-NOISE HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 3.1 mA 3.1 mA

电路数 2 2

通道数 2 2

共模抑制比 - 70 dB

输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K

带宽 9.40 MHz 9.40 MHz

转换速率 45.0 V/μs 35.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz 9.4 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 20 pA 20 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB

电源电压(Max) - 38 V

电源电压(Min) - 4.5 V

长度 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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