AUIRFZ48N和IRFZ48NPBF的区别_AUIRFZ48N代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFZ48N IRFZ48NPBF IRFZ48N

描述 INFINEON AUIRFZ48N 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 69 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V 新INFINEON IRFZ48NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 4 VN沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.011 Ω 0.014 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 160 W 130 W -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 69A 64A -

上升时间 62 ns 78 ns -

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds) -

下降时间 4.5 ns 50 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 160W (Tc) 130W (Tc) -

额定功率 - 94 W -

通道数 - 1 -

输入电容 - 1970 pF -

漏源击穿电压 - 55 V -

额定功率(Max) - 130 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准无铅 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -