CY7C128A-25DMB和IDT6116SA25TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C128A-25DMB IDT6116SA25TDB 5962-8969001LA

描述 2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAMCMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 25ns 24Pin CDIP

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌) E2V

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 CDIP CDIP DIP

位数 8 - 8

存取时间(Max) 25 ns - 25 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

供电电流 - - 135 mA

存取时间 - - 25 ns

封装 CDIP CDIP DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 3A001A2 3A001 3A001.a.2.c

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