TDA8551T/N1,112和TDA8551T/N1,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TDA8551T/N1,112 TDA8551T/N1,118

描述 AB 类,NXP Semiconductors### 音频放大器,NXP SemiconductorsTDA8551 系列 1 W BTL 音频放大器 带数字音量控制 - SOIC-8

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 音频放大器音频放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SO-8

电路数 1 1

通道数 1 1

耗散功率 800 mW 800 mW

增益频宽积 20 kHz 20 kHz

输出功率 1 W 1 W

增益 20 dB 20 dB

输出电流(Max) 1000 mA 1000 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V

输出电流 1000 mA -

宽度 4 mm 4 mm

封装 SOIC-8 SO-8

长度 5 mm -

高度 1.45 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台