对比图
型号 BSO200P03S FDS4435A SI4403CDY-T1-GE3
描述 的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.7 VSmall Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Vishay Intertechnology
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 8 -
封装 DSO SOIC-8 -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.017 Ω -
耗散功率 - 2.5 W -
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V -
上升时间 - 15 ns -
输入电容(Ciss) - 2010pF @15V(Vds) -
额定功率(Max) - 1 W -
下降时间 - 55 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) -
额定电压(DC) -30.0 V - -
额定电流 -7.40 A - -
极性 P-CH - -
输入电容 2.33 nF - -
栅电荷 54.0 nC - -
连续漏极电流(Ids) 9.10 A - -
封装 DSO SOIC-8 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 -