对比图
型号 IXFH30N60P STW21NM60ND SPW16N50C3
描述 N沟道 600V 30ASTMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - 560 V
额定电流 30.0 A - 16.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 240 mΩ 0.17 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 140 W 160 W
阈值电压 - 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 560 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 16.0 A
上升时间 - 16 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 140 W 160 W
下降时间 - 48 ns 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 140W (Tc) 160W (Tc)
输入电容 4.00 nF - -
栅电荷 82.0 nC - -
漏源击穿电压 600 V - -
长度 - 15.75 mm 16.13 mm
宽度 - 5.15 mm 5.21 mm
高度 - 20.15 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99