1N2999A和JAN1N2999RB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N2999A JAN1N2999RB JANTX1N2999B

描述 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-203AA DO-4 DO-203AA

引脚数 - 2 2

容差 ±5 % - ±5 %

正向电压 1.5V @2A - 1.5V @2A

稳压值 56 V 56 V 56 V

正向电压(Max) 1.5V @2A - -

额定功率(Max) 10 W - 10 W

耗散功率 - - 10 W

测试电流 - 45 mA 45 mA

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 DO-203AA DO-4 DO-203AA

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

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