对比图
型号 BUT12AI BUT12AI,127
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorTO-220AB NPN 450V 8A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-220 TO-220-3
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V
集电极最大允许电流 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) - 14 @1A, 5V
额定功率(Max) - 110 W
封装 TO-220 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - 150℃ (TJ)