2N5884和2N5884G

对比图

型号 2N5884 2N5884G

描述 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMPON SEMICONDUCTOR  2N5884G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 2

封装 TO-3 TO-204-2

频率 - 4 MHz

额定电压(DC) - -80.0 V

额定电流 - -25.0 A

针脚数 - 2

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 200 W

增益频宽积 - 4 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

热阻 - 0.875℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 25A

最小电流放大倍数(hFE) - 20

最大电流放大倍数(hFE) - 100

额定功率(Max) - 200 W

直流电流增益(hFE) - 4

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW

长度 - 39.37 mm

宽度 - 26.67 mm

高度 - 8.51 mm

封装 TO-3 TO-204-2

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99