BLV10和SD1732

对比图

型号 BLV10 SD1732 MRF317

描述 甚高频功率晶体管 VHF power transistor射频与微波晶体管电视线性应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV LINEAR APPLICATIONS射频线NPN硅功率晶体管100W ， 30-200MHz ， 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) M/A-Com

分类 MOS管双极性晶体管

安装方式 - - Chassis

引脚数 - - 4

封装 - SON-8 316-01

耗散功率 - 65 W 270 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 35 V

增益 - - 10 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 10 10 @5A, 5V

额定功率(Max) - - 100 W

最大电流放大倍数(hFE) - 10 @0.5A, 20V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - SON-8 316-01

长度 - 19.02 mm -

宽度 - 6.53 mm -

高度 - 4.83 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free