W631GG6KB-12和W631GG6KB-15

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GG6KB-12 W631GG6KB-15 W631GG6MB-12

描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13MM, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-961-Gbit(64M x 16bit),工作电压:1.5V±0.075V8M x 8 BANKS x 16Bit DDR3 SDRAM

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 96 96 96

封装 TFBGA-96 TFBGA-96 VFBGA-96

供电电流 280 mA 240 mA -

时钟频率 800 MHz 667 MHz -

位数 16 16 16

存取时间 20 ns 20 ns -

存取时间(Max) 0.225 ns 0.255 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V -

工作电压 - 1.425V ~ 1.575V -

封装 TFBGA-96 TFBGA-96 VFBGA-96

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR NLR NLR

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