APT1003RKFLLG和APT1003RKLLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT1003RKFLLG APT1003RKLLG STP4NB100FP

描述 TO-220 N-CH 1000V 4A功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-ChannelN - CHANNEL 1000V - 4欧姆 - 3.8A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 1000V - 4ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

极性 N-CH - N-CH

输入电容 694 pF 694 pF -

栅电荷 34.0 nC 34.0 nC -

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 3.8A

上升时间 4 ns - -

输入电容(Ciss) 694pF @25V(Vds) 694pF @25V(Vds) -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 139000 mW 139W (Tc) -

耗散功率 - 139W (Tc) -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

产品生命周期 - Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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