对比图
型号 BUK9606-40B,118 PHB101NQ04T,118
描述 N沟道 VDS=40V VGS=±15V ID=75A P=203WD2PAK N-CH 40V 75A
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1
漏源极电阻 - 8 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 203W (Tc) 157 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
漏源击穿电压 - 40 V
连续漏极电流(Ids) - 75.0 A
上升时间 145 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 4901pF @25V(Vds) 2020pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 203 W 157 W
下降时间 92 ns 33 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 203W (Tc) 157W (Tc)
输入电容 3967 pF -
长度 - 10.3 mm
宽度 - 9.4 mm
高度 - 4.5 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free