TZMC6V2-GS08和BZV55-C6V2,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TZMC6V2-GS08 BZV55-C6V2,115 BZV55-C6V2@115

描述 齐纳二极管 500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorNXP  BZV55-C6V2,115  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CBZV55-C6V2@115

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 SOD-80 DO-213

封装 SOD-80 SOD-80 DO-213

长度 3.7 mm 3.7 mm -

宽度 1.6 mm 1.6 mm -

高度 1.6 mm 1.6 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

容差 - ±5 % -

针脚数 2 2 -

正向电压 1.5 V 900mV @10mA -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 0.5 W -

击穿电压 6.20 V - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 2.3 mV/℃ -

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