对比图
型号 VB30100SG-E3/8W VB30100SG-E3/4W
描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.437 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.437 V at IF = 5 A
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 TVS二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3
输出电流 ≤30.0 A -
正向电压 1V @30A 1V @30A
极性 Standard -
最大正向浪涌电流（Ifsm） 250 A -
正向电压(Max) 1V @30A 1V @30A
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -
长度 10.45 mm -
宽度 9.14 mm -
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free