对比图
描述 外延平面NPN EPITAXIAL PLANAR NPN一瓦达林顿晶体管（ NPN硅） One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon)
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-18-3 TO-92
极性 - NPN
击穿电压(集电极-发射极) 180 V 30 V
集电极最大允许电流 - 1A
额定电压(DC) 180 V -
额定电流 100 mA -
耗散功率 400 mW -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 10V -
最大电流放大倍数(hFE) 85 -
额定功率(Max) 400 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ -
封装 TO-18-3 TO-92
长度 5.8 mm -
宽度 5.8 mm -
高度 5.3 mm -
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
工作温度 175℃ (TJ) -