对比图
型号 2N2907AL JAN2N2907AL 2N2907A
描述 抗辐射 RADIATION HARDENEDPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS 2N2907A 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 300 hFE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-18-3 SMD-4 TO-18
频率 - - 200 MHz
额定电压(DC) - - -60.0 V
额定电流 - - -600 mA
针脚数 - - 3
极性 PNP - PNP
耗散功率 - - 400 mW
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 500 mW 500 mW 400 mW
直流电流增益(hFE) - - 300
工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 500 mW - 400 mW
集电极最大允许电流 0.6A - -
封装 TO-18-3 SMD-4 TO-18
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag Bulk Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99