DS1230Y-85和DS1230AB-85+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230Y-85 DS1230AB-85+ DS1230Y-85+

描述 IC NVSRAM 256Kbit 85NS 28DIPNon-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-85+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 DIP-28 EDIP-28

存取时间 - 85 ns 85 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 4.50V (min) - 4.50V (min)

针脚数 - - 28

内存容量 32000 B - 32000 B

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

封装 EDIP-28 DIP-28 EDIP-28

长度 - - 39.12 mm

宽度 - - 18.8 mm

高度 - - 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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