AOT27S60L和SIHP22N60E-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOT27S60L SIHP22N60E-GE3 SIHP24N65E-GE3

描述 AOT27S60L 管装N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorE系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 357 W 227 W 250 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 27A 21A 24A

上升时间 33 ns 68 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 1294pF @100V(Vds) 1920pF @100V(Vds) 2740pF @100V(Vds)

下降时间 34 ns 54 ns 69 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 357W (Tc) 227 W 250 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.15 Ω 0.12 Ω

阈值电压 - 2 V 2 V

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.51 mm 10.51 mm

宽度 - 4.65 mm 4.65 mm

高度 - 9.01 mm 15.49 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

最小包装 - 50 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - NLR -

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