MTD2955V-1G和MTD2955VG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD2955V-1G MTD2955VG MTD2955V1

描述 功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAKTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类

基础参数对比

引脚数 - - 3

封装 IPAK DPAK TO-251

安装方式 Through Hole Surface Mount -

上升时间 - - 50 ns

输入电容(Ciss) - - 550pF @25V(Vds)

下降时间 - - 39 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 60000 mW

极性 P-CH P-CH -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 12A 12A -

封装 IPAK DPAK TO-251

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - - Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

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