对比图
型号 BFS17P BFG67/X BFS17PE6327
描述 NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from 1mA to 20mA)NPN 8 GHz宽带晶体管 NPN 8 GHz wideband transistors射频双极晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
数据手册 ---
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管
封装 - SOT-143 SOT-23
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 - SOT-143 SOT-23
长度 - - 2.9 mm
宽度 - - 1.3 mm
高度 - - 0.9 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
耗散功率 - - 280 mW
输入电容 - - 0.9 pF
最小电流放大倍数(hFE) - - 40
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 280 mW
材质 - - Silicon
ECCN代码 - - EAR99