CE3512K2和CE3512K2-C1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CE3512K2 CE3512K2-C1

描述 CE3512K2 管装Trans RF MOSFET N-CH 4V 0.068A 4Pin Micro-X T/R

数据手册 --

制造商 California Eastern Laboratories California Eastern Laboratories

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 4 4

封装 Micro-X Micro-X

频率 12 GHz 12 GHz

耗散功率 125000 mW 125000 mW

输出功率 125 mW 125 mW

增益 13.7 dB 13.7 dB

测试电流 10 mA 10 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125000 mW 125000 mW

封装 Micro-X Micro-X

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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