DMN61D9UDW-13和DMN61D9UDW-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN61D9UDW-13 DMN61D9UDW-7

描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP-6 SOT-363-6

引脚数 - 6

通道数 2 -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 28.5pF @30V(Vds) 28.5pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 320 mW 320 mW

耗散功率 - 0.41 W

上升时间 - 1.8 ns

下降时间 - 8.4 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 320 mW

封装 TSSOP-6 SOT-363-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台