IRF7805ZPBF和IRF7805ZPBF-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7805ZPBF IRF7805ZPBF-1 DMN3007LSS

描述 INFINEON  IRF7805ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.25 VSOIC N-CH 30V 16ADIODES INC.  DMN3007LSS  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 16 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 1.3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC

额定功率 2.5 W - -

通道数 1 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0055 Ω - 0.005 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

阈值电压 2.25 V - 1.3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 16A 16A 16A

上升时间 10 ns - -

输入电容(Ciss) 2080pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 2.5 W - -

下降时间 3.7 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

军工级 - - Yes

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司