GS71116AGP-10I和K6R1016V1D-TC10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS71116AGP-10I K6R1016V1D-TC10 CY7C1021CV33-10ZSXA

描述 静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M I TempSRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44Pin TSOP-IICY7C1021 系列 1 Mb (64Kx16) 10 ns 3.3 V 汽车 CMOS 静态 RAM-TSOP II-44

数据手册 ---

制造商 GSI Samsung (三星) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSOP-44 TSOP-2 TSOP-44

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 44 - 44

封装 TSOP-44 TSOP-2 TSOP-44

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - PB free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

存取时间 10 ns - 10 ns

内存容量 125000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

供电电流 - - 90 mA

针脚数 - - 44

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 10 ns

电源电压 - - 3V ~ 3.6V

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

ECCN代码 - - 3A991.b.2.b

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