MUR8100E和MUR8100EG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUR8100E MUR8100EG STTH810D

描述 超高速整流器8.0 A, 800 V - 1000 V ULTRAFAST RECTIFIERS 8.0 A, 800 V - 1000 VON SEMICONDUCTOR  MUR8100EG  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.8 V, 75 ns, 100 ASTMICROELECTRONICS  STTH810D  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.3 V, 47 ns, 60 A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 功率二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

输出电流 ≤8.00 A ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 1.8V @8A 1.8 V 2V @8A

极性 Standard Standard Standard

热阻 - 2℃/W (RθJC) 2.5 ℃/W

反向恢复时间 100 ns 100 ns 85 ns

正向电流 8 A 8 A 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 100 A 60 A

正向电压(Max) - 1.8 V 1.3 V

正向电流(Max) - 8 A 8 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -40 ℃

工作结温(Max) - 175 ℃ 175 ℃

最大反向电压(Vrrm) 1000V - -

最大反向漏电流(Ir) 0.5mA - -

电容 - - 7.00 pF

工作结温 - - 175℃ (Max)

长度 10.29 mm 10.29 mm 10.4 mm

宽度 4.82 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 9.27 mm 9.27 mm 9.35 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Each Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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