IPW60R060C7XKSA1和STW43NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPW60R060C7XKSA1 STW43NM60ND FCH35N60

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 3.5 VSTMICROELECTRONICS  STW43NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.079 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.052 Ω 0.075 Ω 0.079 Ω

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 162 W 255 W 312.5 W

阈值电压 3.5 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 35A 35A -

上升时间 11 ns 40 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 2850pF @400V(Vds) 4300pF @50V(Vds) 6640pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 255 W 312.5 W

下降时间 4 ns 50 ns 73 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 162W (Tc) 255W (Tc) -

长度 16.13 mm 15.75 mm -

宽度 5.21 mm 5.15 mm -

高度 21.1 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 - NLR -

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