对比图
型号 FDS6681Z IRF9310PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6681Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, 1.8 VINFINEON IRF9310PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -1.8 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0038 Ω 3.9 mΩ
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W
阈值电压 1.8 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -20.0 A 20A
上升时间 9 ns 47 ns
输入电容(Ciss) 7540pF @15V(Vds) 5250pF @15V(Vds)
下降时间 380 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW
产品系列 - -
热阻 - -
额定功率(Max) 1 W -
额定电压(DC) -30.0 V -
额定电流 -20.0 A -
输入电容 7.54 nF -
栅电荷 185 nC -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 5 mm 4.98 mm
宽度 4 mm 3.99 mm
高度 1.5 mm 1.57 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99